Комбинационное рассеяние света в халькогенидных стеклообразных полупроводниках As–Se–S и As–Se–Te

Синтезированы халькогенидные стеклообразные полупроводники составов As–Se–S и As–Se–Te, и термическим напылением получены тонкие пленки. Методами рентгенофазового анализа и комбинационного рассеяния света установлена их аморфность, а также исследованы структурные особенности. Показано, что матрицы обоих материалов обладают сеточно-цепочечной структурой с ковалентной связью между атомами As, Se, S и Te. В матрице As–Se–S существуют структурные единицы типа пирамид AsSe$_3$, AsS$_3$, бипирамиды AsSe$_{3/2}$ и молекулы $\alpha(\beta)$-As$_4$S$_4$, а в As–Se–Te – единицы AsSe$_3$, AsSe$_{3/2}$, As$_2$Se$_3$, As$_2$Te$_3$. Определены колебательные моды связей Se–Se, Te–Te, As–As, As–S, Se–As–Se, As–Se–As, Se–As–S, Se–As–Te, Se–Te, составляющих как отдельные молекулы, так и аморфные матрицы.