Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 827–823 (Mi phts7632)  

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Углеродные системы

Сравнение разных способов переноса графена и мультиграфена, выращенных методом химического газофазного осаждения, на изолирующую подложку SiO$_2$/Si

И. В. Антоноваa, С. В. Голодa, Р. А. Соотсa, А. И. Комоновa, В. А. Селезневa, М. А. Сергеевa, В. А. Володинab, В. Я. Принцa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация: Целью работы было сравнение результатов переноса слоев графена и мультиграфена толщиной до 5 нм, выращенных методом химического газофазного осаждения при пониженном давлении (CVD), на подложку SiO$_2$/Si с использованием четырех различных полимерных пленок. Выбранные способы переноса основывались на наиболее перспективных литературных вариантах: использование полиметил метакрилата, полидиметилсилоксана, термоскотча и поликарбоната. Показано, что наиболее перспективным способом переноса (минимальное сопротивление и максимальная подвижность носителей) является использование тонких пленок поликарбоната с растворением их в хлороформе. В этом случае стабильно получались следующие результаты: сопротивление графена и мультиграфена составляло 250–900 Ом/$\square$, а подвижность носителей 900–2500 см$^2$$\cdot$ с.
Поступила в редакцию: 12.09.2013
Принята в печать: 27.09.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 6, Pages 804–808
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614060049
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Антонова, С. В. Голод, Р. А. Соотс, А. И. Комонов, В. А. Селезнев, М. А. Сергеев, В. А. Володин, В. Я. Принц, “Сравнение разных способов переноса графена и мультиграфена, выращенных методом химического газофазного осаждения, на изолирующую подложку SiO$_2$/Si”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 827–823; Semiconductors, 48:6 (2014), 804–808
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AntGolSoo14}
\by И.~В.~Антонова, С.~В.~Голод, Р.~А.~Соотс, А.~И.~Комонов, В.~А.~Селезнев, М.~А.~Сергеев, В.~А.~Володин, В.~Я.~Принц
\paper Сравнение разных способов переноса графена и мультиграфена, выращенных методом химического газофазного осаждения, на изолирующую подложку SiO$_2$/Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 827--823
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7632}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018874}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 804--808
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614060049}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7632
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i6/p827
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025