|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 827–823
(Mi phts7632)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Углеродные системы
Сравнение разных способов переноса графена и мультиграфена, выращенных методом химического газофазного осаждения, на изолирующую подложку SiO$_2$/Si
И. В. Антоноваa, С. В. Голодa, Р. А. Соотсa, А. И. Комоновa, В. А. Селезневa, М. А. Сергеевa, В. А. Володинab, В. Я. Принцa a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Целью работы было сравнение результатов переноса слоев графена и мультиграфена толщиной до 5 нм, выращенных методом химического газофазного осаждения при пониженном давлении (CVD), на подложку SiO$_2$/Si с использованием четырех различных полимерных пленок. Выбранные способы переноса основывались на наиболее перспективных литературных вариантах: использование полиметил метакрилата, полидиметилсилоксана, термоскотча и поликарбоната. Показано, что наиболее перспективным способом переноса (минимальное сопротивление и максимальная подвижность носителей) является использование тонких пленок поликарбоната с растворением их в хлороформе. В этом случае стабильно получались следующие результаты: сопротивление графена и мультиграфена составляло 250–900 Ом/$\square$, а подвижность носителей 900–2500 см$^2$/В $\cdot$ с.
Поступила в редакцию: 12.09.2013 Принята в печать: 27.09.2013
Образец цитирования:
И. В. Антонова, С. В. Голод, Р. А. Соотс, А. И. Комонов, В. А. Селезнев, М. А. Сергеев, В. А. Володин, В. Я. Принц, “Сравнение разных способов переноса графена и мультиграфена, выращенных методом химического газофазного осаждения, на изолирующую подложку SiO$_2$/Si”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 827–823; Semiconductors, 48:6 (2014), 804–808
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7632 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i6/p827
|
|