Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 839–844 (Mi phts7634)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs

Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии совместно с ионным профилированием проведен количественный химический анализ структур спиновых светоизлучающих диодов со спин-инжектирующим слоем GaMnAs и квантовой ямой InGaAs. Получено распределение фаз по глубине и выявлены причины их перераспределения. В спин-инжектирующем слое количество антиферромагнитного Mn и ферромагнитного MnAs находится на одном уровне. Усовершенствована методика разделения фаз и контроля правильности определения содержания компонентов.
Поступила в редакцию: 08.10.2013
Принята в печать: 21.10.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 6, Pages 815–820
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614060219
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин, “Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 839–844; Semiconductors, 48:6 (2014), 815–820
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NikBorZub14}
\by Д.~Е.~Николичев, А.~В.~Боряков, С.~Ю.~Зубков, Р.~Н.~Крюков, М.~В.~Дорохин, А.~В.~Кудрин
\paper Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 839--844
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7634}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018876}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 815--820
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614060219}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7634
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i6/p839
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025