|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 839–844
(Mi phts7634)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs
Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии совместно с ионным профилированием проведен количественный химический анализ структур спиновых светоизлучающих диодов со спин-инжектирующим слоем GaMnAs и квантовой ямой InGaAs. Получено распределение фаз по глубине и выявлены причины их перераспределения. В спин-инжектирующем слое количество антиферромагнитного Mn и ферромагнитного MnAs находится на одном уровне. Усовершенствована методика разделения фаз и контроля правильности определения содержания компонентов.
Поступила в редакцию: 08.10.2013 Принята в печать: 21.10.2013
Образец цитирования:
Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин, “Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 839–844; Semiconductors, 48:6 (2014), 815–820
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7634 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i6/p839
|
|