Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 6, страницы 845–851 (Mi phts7635)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Диффузионный механизм роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов с участием горячих атомов

М. В. Гранкинa, А. И. Бажинb, Д. В. Гранкинa

a Приазовский государственный технический университет, 87500 Мариуполь, Украина
b Донецкий национальный университет, 83001 Донецк, Украинa
Аннотация: Развита кинетическая модель роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов за счет адсорбции из газовой среды, учитывающая наряду с поверхностной равновесной диффузией адатомов процессы неравновесной диффузии возбужденных (“горячих”) атомов, образованных в актах адсорбции, и их релаксацию в результате аккомодации энергии возбуждения по электронному каналу на каплях катализатора. Проведено моделирование процессов на поверхности с помощью вероятностного метода Монте-Карло. Показано, что процессы релаксации горячих адатомов могут определять скорость роста нитевидных нанокристаллов. Найдены условия, когда реализуется рост нитевидных нанокристаллов по механизмам равновесной или неравновесной диффузии адатомов. Показано, что скорость роста нитевидных нанокристаллов зависит от диаметра нанокапель, расстояния между ними и длины пробега возбужденных в актах адсорбции атомов.
Поступила в редакцию: 22.08.2013
Принята в печать: 25.09.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 6, Pages 821–827
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614060116
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Гранкин, А. И. Бажин, Д. В. Гранкин, “Диффузионный механизм роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов с участием горячих атомов”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 845–851; Semiconductors, 48:6 (2014), 821–827
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GraBazGra14}
\by М.~В.~Гранкин, А.~И.~Бажин, Д.~В.~Гранкин
\paper Диффузионный механизм роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов с участием горячих атомов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 845--851
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7635}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018877}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 6
\pages 821--827
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614060116}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7635
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i6/p845
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025