Электронные свойства $p$-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами

Проанализировано влияние облучения полным спектром реакторных нейтронов и преимущественно быстрыми нейтронами реактора (до 8 $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-2}$) на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок $p$-GaN(Mg) с различным уровнем исходного лег ирования (концентрация дырок $p$ = 10$^{17}$–10$^{19}$ см$^{-3}$). При нейтронном облучении отмечено увеличение удельного сопротивления исходного материала до значений 10$^{10}$ Ом $\cdot$ см при 300 K. При больших флюенсах нейтронов обнаружено уменьшение электросопротивления материала вследствие прыжковой проводимости носителей заряда по состояниям радиационных дефектов. Исследование изохронного отжига в области 100–1000$^\circ$C выявило стадии отжига донорных, около 100–300, 500–700 и 750–850$^\circ$C, и акцепторных, около 300–500 и 650–800$^\circ$C, дефектов в облученных нейтронами образцах $p$-GaN(Mg).