Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As

Представлены результаты исследования морфологии поверхности, электрофизических параметров и фотолюминесцентных свойств метаморфных наногетероструктур In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As на подложках GaAs. На поверхности некоторых гетероструктур обнаружены дефекты микронных размеров, ориентированные вдоль направлений [011] и $[0\bar{1}1]$ и представляющие собой области выхода на поверхность дефектов упаковки. Холловская подвижность и оптические свойства образцов коррелируют с поверхностной плотностью дефектов. В спектрах фотолюминесценции обнаружены четыре полосы излучения, соответствующие рекомбинации носителей заряда в квантовой яме (1.0–1.2 эВ) InGaAs, в метаморфном буфере InAlAs (1.8–1.9 эВ), в сверхрешетке GaAs/AlGaAs на границе буфер/подложка и в подложке GaAs. На основе измеренных спектров с помощью самосогласованного расчета зонной диаграммы структур были определены составы твердых растворов, составляющих исследованные гетероструктуры, и определены технологические вариации состава в серии гетероструктур.