Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdO/$p$-Si

Гетеропереход $n$-CdO/$p$-Si изготовлен напылением тонкой пленки оксида кадмия ($n$-типа проводимости) методом пульверизации с последующим пиролизом на полированную поликристаллическую пластину кремния $p$-типа проводимости. Измерены вольт-амперные характеристики (ВАХ) гетероструктуры при различных температурах. Установлено, что электрический ток через исследуемую гетероструктуру при прямом смещении $3kT/e < V <$ 0.5 В формируется с помощью туннельно-рекомбинационных процессов с участием поверхностных состояний на границе раздела CdO/Si и при $V >$ 0.5 B туннелированием через область пространственного заряда. Основными механизмами токопереноса при обратном смещении являются эмиссия Френкеля–Пула и туннелирование с участием энергетических уровней, образованных поверхностными состояниями.