Расчет поверхностных характеристик и давлений квантовых точек InAs в матрице GaAs

Изложена теоретическая модель для расчета энергетических характеристик поверхностей квантовых точек InAs в матрице GaAs(100). Модель основана на положениях неравновесной термодинамики и физики поверхностей. В работе представлены результаты расчета поверхностных энергетических и адгезионных физических величин, а также давлений в окрестности ребер квантовых точек InAs в матрице GaAs(100). С помощью соотношения Юнга установлены причины изгиба профиля нижней части квантовой точки. Полученные результаты могут быть использованы для оценки механизмов релаксации напряжений при самоорганизации квантовых точек InAs в матрице GaAs(100).