Высокотемпературная интерфейсная электролюминесценция в разъединенных гетероструктурах II рода на основе квантовых штрихов InSb в матрице $n$-InAs

Впервые в гетероструктурах II рода на основе квантовых штрихов InSb, помещенных в узкозонную матрицу $n$-InAs, наблюдалась электролюминесценция при комнатной температуре. В исследуемых наногетероструктурах наблюдалась положительная люминесценция в интервале длин волн 3–4 мкм, обусловленная интерфейсными излучательными переходами электронов из самосогласованных квантовых ям на стороне матричных слоев InAs через разъединенную гетерограницу II рода InSb/InAs на уровни размерного квантования дырок в квантовых штрихах InSb, расположенные в запрещенной зоне матрицы вблизи дна зоны проводимости InAs.