Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 7, страницы 944–950 (Mi phts7651)  
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Анализ электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs методами спектроскопии адмиттанса

В. И. Зубковa, И. Н. Яковлевa, В. Г. Литвиновb, А. В. Ермачихинb, О. В. Кучероваa, В. Н. Черкасоваa

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
b Рязанский государственный радиотехнический университет, 390005 Рязань, Россия
PDF полного текста (329 kB) Список цитирования (10)
Аннотация: Методами адмиттансной спектроскопии и с помощью численных самосогласованных расчетов исследован эффект электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах легированной гетероструктуры. Детально изучались образцы, содержащие 3 квантовые ямы InGaAs/GaAs, толщиной 7 нм каждая, разделенные барьерами по 150 нм. Содержание InAs в ямах составляло 22, 16 и 11.5%. Экспериментально и моделированием показано, что эффект относительного обеднения носителями заряда средней квантовой ямы возникает при смыкании локальных областей объемного заряда вокруг квантовых ям и сопровождается “выталкиванием” вверх потенциала средней ямы. Анализируются количественные характеристики этого эффекта в зависимости от температуры, толщины барьеров и концентрации в них легирующей примеси.
Поступила в редакцию: 21.11.2013
Принята в печать: 03.12.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 7, Pages 917–923
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614070227
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Зубков, И. Н. Яковлев, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, О. В. Кучерова, В. Н. Черкасова, “Анализ электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs методами спектроскопии адмиттанса”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 944–950; Semiconductors, 48:7 (2014), 917–923
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZubYakLit14}
\by В.~И.~Зубков, И.~Н.~Яковлев, В.~Г.~Литвинов, А.~В.~Ермачихин, О.~В.~Кучерова, В.~Н.~Черкасова
\paper Анализ электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах InGaAs/GaAs методами спектроскопии адмиттанса
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 7
\pages 944--950
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7651}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018893}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 7
\pages 917--923
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614070227}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7651
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i7/p944
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025