|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 7, страницы 995–1001
(Mi phts7657)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Электрофоретическое осаждение коллоидных наночастиц CdS на аморфную кремниевую мембрану
Н. С. Филипповa, Н. В. Вандышеваa, М. А. Паращенкоa, С. С. Косолобовa, О. И. Семеноваa, Р. О. Анарбаевb, Д. В. Пышныйb, И. А. Пышнаяb, С. И. Романовa a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Предложен метод создания нанопористых кремниевых мембран, подвешенных в микроканалах кремниевой матрицы, и электрофоретическим осаждением получены твердофазные концентраты наночастиц CdS на этом тонкопленочном носителе. Представлены результаты комплексных исследований, подтверждающих образование композита Si–CdS в области протекания ионного тока через пористую мембрану. Показано, что в процессе электрофореза происходило постепенное накопление наночастиц полупроводникового вещества, заключенного в органическую оболочку из тиогликолевой кислоты. Предполагается, что аналогичный подход применим и для биологических веществ, дозированные концентраты которых могут быть использованы в биомедицинских исследованиях.
Поступила в редакцию: 05.11.2013 Принята в печать: 11.11.2013
Образец цитирования:
Н. С. Филиппов, Н. В. Вандышева, М. А. Паращенко, С. С. Косолобов, О. И. Семенова, Р. О. Анарбаев, Д. В. Пышный, И. А. Пышная, С. И. Романов, “Электрофоретическое осаждение коллоидных наночастиц CdS на аморфную кремниевую мембрану”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 995–1001; Semiconductors, 48:7 (2014), 967–973
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7657 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i7/p995
|
|