Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 7, страницы 995–1001 (Mi phts7657)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Электрофоретическое осаждение коллоидных наночастиц CdS на аморфную кремниевую мембрану

Н. С. Филипповa, Н. В. Вандышеваa, М. А. Паращенкоa, С. С. Косолобовa, О. И. Семеноваa, Р. О. Анарбаевb, Д. В. Пышныйb, И. А. Пышнаяb, С. И. Романовa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация: Предложен метод создания нанопористых кремниевых мембран, подвешенных в микроканалах кремниевой матрицы, и электрофоретическим осаждением получены твердофазные концентраты наночастиц CdS на этом тонкопленочном носителе. Представлены результаты комплексных исследований, подтверждающих образование композита Si–CdS в области протекания ионного тока через пористую мембрану. Показано, что в процессе электрофореза происходило постепенное накопление наночастиц полупроводникового вещества, заключенного в органическую оболочку из тиогликолевой кислоты. Предполагается, что аналогичный подход применим и для биологических веществ, дозированные концентраты которых могут быть использованы в биомедицинских исследованиях.
Поступила в редакцию: 05.11.2013
Принята в печать: 11.11.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 7, Pages 967–973
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614070057
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. С. Филиппов, Н. В. Вандышева, М. А. Паращенко, С. С. Косолобов, О. И. Семенова, Р. О. Анарбаев, Д. В. Пышный, И. А. Пышная, С. И. Романов, “Электрофоретическое осаждение коллоидных наночастиц CdS на аморфную кремниевую мембрану”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 995–1001; Semiconductors, 48:7 (2014), 967–973
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FilVanPar14}
\by Н.~С.~Филиппов, Н.~В.~Вандышева, М.~А.~Паращенко, С.~С.~Косолобов, О.~И.~Семенова, Р.~О.~Анарбаев, Д.~В.~Пышный, И.~А.~Пышная, С.~И.~Романов
\paper Электрофоретическое осаждение коллоидных наночастиц CdS на аморфную кремниевую мембрану
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 7
\pages 995--1001
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7657}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018899}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 7
\pages 967--973
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614070057}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7657
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i7/p995
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025