Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 7, страницы 1002–1006 (Mi phts7658)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Структура нанопроволок InSb в каналах хризотилового асбеста

О. Н. Урюпинa, Н. Ф. Картенкоa, Н. Ю. Табачковаb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Московский институт стали и сплавов, 119049 Москва, Россия
PDF полного текста (925 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Исследована кристаллическая структура ультратонких нанопроволок антимонида индия, полученных вдавливанием расплава полупроводника в каналы хризотилового асбеста. Показано, что нанопроволоки имеют поликристаллическую структуру. Средний размер кристаллитов сравним с диаметром проволок и равен 4.4 нм.
Поступила в редакцию: 05.11.2013
Принята в печать: 11.11.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 7, Pages 974–978
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614070215
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Н. Урюпин, Н. Ф. Картенко, Н. Ю. Табачкова, “Структура нанопроволок InSb в каналах хризотилового асбеста”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 1002–1006; Semiconductors, 48:7 (2014), 974–978
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UryKarTab14}
\by О.~Н.~Урюпин, Н.~Ф.~Картенко, Н.~Ю.~Табачкова
\paper Структура нанопроволок InSb в каналах хризотилового асбеста
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 7
\pages 1002--1006
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7658}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018900}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 7
\pages 974--978
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614070215}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7658
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i7/p1002
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025