Влияние света на подвижность свободных носителей заряда в кристаллах моноселенида индия

Исследовано влияние света из различных областей оптического поглощения (собственного и примесного) на подвижность свободных носителей заряда в чистых (специально не легированных) кристаллах моноселенида индия ($n$-InSe) с различным значением исходной темновой удельной проводимости ($\sigma_{T0}$ = 10$^{-3}$–10$^{-8}$ Ом$^{-1}$см$^{-1}$ при 77 K) при различных внешних условиях. Обнаружены зависимость подвижности свободных носителей заряда от воздействия света, положительная и отрицательная подвижностная память, а также стирание (гашение) подвижностной памяти. Предложена модель, которая основывается на частичной неупорядоченности исследуемых кристаллов и качественно удовлетворительно объясняет полученные экспериментальные результаты.