Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1014–1016 (Mi phts7660)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Особенности магнетосопротивления в перекомпенсированном кремнии, легированном марганцем

М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, Х. М. Илиев, К. С. Аюпов, О. Э. Саттаров, С. А. Тачилин

Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан
Аннотация: Экспериментально установлено, что достаточно большое отрицательное магнитосопротивление в кремнии наблюдается не только в компенсированном $p$-Si$\langle$B, Mn$\rangle$, а также в перекомпенсированном $n$-Si$\langle$B, Mn$\rangle$ с положением уровня Ферми $F=E_C-0.35\div E_C-0.55$ эВ. Величина, а также температурная область существования отрицательного магнитосопротивления в таких материалах определяется положением уровня Ферми.
Поступила в редакцию: 11.11.2013
Принята в печать: 03.12.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 8, Pages 986–988
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261408003X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, Х. М. Илиев, К. С. Аюпов, О. Э. Саттаров, С. А. Тачилин, “Особенности магнетосопротивления в перекомпенсированном кремнии, легированном марганцем”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1014–1016; Semiconductors, 48:8 (2014), 986–988
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BakMavIli14}
\by М.~К.~Бахадырханов, Г.~Х.~Мавлонов, Х.~М.~Илиев, К.~С.~Аюпов, О.~Э.~Саттаров, С.~А.~Тачилин
\paper Особенности магнетосопротивления в перекомпенсированном кремнии, легированном марганцем
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 1014--1016
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7660}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018902}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 986--988
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261408003X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7660
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i8/p1014
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025