|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1014–1016
(Mi phts7660)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Особенности магнетосопротивления в перекомпенсированном кремнии, легированном марганцем
М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, Х. М. Илиев, К. С. Аюпов, О. Э. Саттаров, С. А. Тачилин Ташкентский государственный технический университет,
100095 Ташкент, Узбекистан
Аннотация:
Экспериментально установлено, что достаточно большое отрицательное магнитосопротивление в кремнии наблюдается не только в компенсированном $p$-Si$\langle$B, Mn$\rangle$, а также в перекомпенсированном $n$-Si$\langle$B, Mn$\rangle$ с положением уровня Ферми $F=E_C-0.35\div E_C-0.55$ эВ. Величина, а также температурная область существования отрицательного магнитосопротивления в таких материалах определяется положением уровня Ферми.
Поступила в редакцию: 11.11.2013 Принята в печать: 03.12.2013
Образец цитирования:
М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, Х. М. Илиев, К. С. Аюпов, О. Э. Саттаров, С. А. Тачилин, “Особенности магнетосопротивления в перекомпенсированном кремнии, легированном марганцем”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1014–1016; Semiconductors, 48:8 (2014), 986–988
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7660 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i8/p1014
|
|