Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1017–1023 (Mi phts7661)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Деформационные парамагнитные дефекты в кристаллах кремния Fz-$^{29}$Si:P

О. В. Коплакa, А. И. Дмитриевa, С. Г. Васильевa, Э. А. Штейнманb, С. И. Алексеевc, Р. Б. Моргуновa

a Институт проблем химической физики Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
b Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
c Евразийский открытый институт, 109052 Москва, Россия
PDF полного текста (418 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Обнаружены парамагнитные дефекты нового типа, возникающие при пластической деформации и температуре 1223 K изотопно-обогащенных кристаллов кремния, выращенных зонной плавкой, Fz-Si:P (76% $^{29}$Si). Анизотропные спектры электронного парамагнитного резонанса этих дефектов свидетельствуют о том, что они являются примесными, а их спин $S$ = 1. Спектры ядерного магнитного резонанса являются дублетами Пейка, расщепленными спин-спиновым ядерным взаимодействием и уширенными электронно-ядерной диполь-дипольной релаксацией.
Поступила в редакцию: 14.11.2013
Принята в печать: 03.12.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 8, Pages 989–995
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614080144
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Коплак, А. И. Дмитриев, С. Г. Васильев, Э. А. Штейнман, С. И. Алексеев, Р. Б. Моргунов, “Деформационные парамагнитные дефекты в кристаллах кремния Fz-$^{29}$Si:P”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1017–1023; Semiconductors, 48:8 (2014), 989–995
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KopDmiVas14}
\by О.~В.~Коплак, А.~И.~Дмитриев, С.~Г.~Васильев, Э.~А.~Штейнман, С.~И.~Алексеев, Р.~Б.~Моргунов
\paper Деформационные парамагнитные дефекты в кристаллах кремния Fz-$^{29}$Si:P
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 1017--1023
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7661}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018903}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 989--995
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614080144}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7661
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i8/p1017
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025