О глубоком донорном уровне в $n$-GaAs по данным об электронном транспорте при всестороннем давлении

Приведены результаты количественного анализа экспериментальных данных о барических зависимостях электросопротивления и коэффициента Холла при всесторонних давлениях от атмосферного до 18 ГПа в $n$-GaAs. В интервале давлений 10 $\le P\le$ 18 ГПа обнаружен глубокий донорный центр. Обсуждаются положение его уровня энергии относительно края $\Gamma$-долины зоны проводимости при атмосферном давлении и его принадлежность вакансии мышьяка.