Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1044–1049 (Mi phts7666)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Релаксация с излучением фононов возбужденных состояний донора висмута в одноосно-деформированном кремнии

В. В. Цыпленков, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (622 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Рассчитаны низкотемпературные темпы релаксации возбужденных состояний доноров висмута при излучении фононов в одноосно-деформированном в кристаллографическом направлении [100] кристалле кремния. Рассмотрены состояния, принадлежащие как нижним (2$\Delta$), так и верхним (4$\Delta$) долинам зоны проводимости кремния. Показана возможность инверсии населенностей состояний донора висмута в верхних (4$\Delta$) долинах зоны проводимости кремния при оптической накачке.
Поступила в редакцию: 12.08.2013
Принята в печать: 22.01.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 8, Pages 1017–1022
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614080247
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Цыпленков, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, “Релаксация с излучением фононов возбужденных состояний донора висмута в одноосно-деформированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1044–1049; Semiconductors, 48:8 (2014), 1017–1022
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TsyZhuSha14}
\by В.~В.~Цыпленков, Р.~Х.~Жукавин, В.~Н.~Шастин
\paper Релаксация с излучением фононов возбужденных состояний донора висмута в одноосно-деформированном кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 1044--1049
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7666}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018908}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 1017--1022
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614080247}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7666
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i8/p1044
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025