Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1050–1054 (Mi phts7667)  

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Properties of nanostructured doped ZnO thin films grown by spray pyrolysis technique

N. Sadananda Kumar, Kasturi V. Bangera, G. K. Shivakumar

Thin Films Laboratory, Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal, 575025 Mangalore, India
Аннотация: Aluminium doped zinc oxide thin films are deposited on glass substrate by using spray pyrolysis technique. The X-ray diffraction study of the films revealed that the both the undoped and Al doped ZnO thin films exhibits hexagonal wurtzite structure. The preferred orientation is (002) for undoped and up to 3 at% Al doping, further increase in the doping concentration to 5 at% changes the preferred orientation to (101) direction. The surface morphology of the films studied by scanning electron microscope, reveal marked changes on doping. Optical study indicates that both undoped and Al doped films are transparent in the visible region. The band gap of the films increased from 3.24 to 3.36 eV with increasing Al dopant concentration from 0 to 5 at% respectively. The Al doped films showed an increase in the conductivity by three orders of magnitude with increase in doping concentration. The maximum value of conductivity 106.3 S/cm is achieved for 3 at% Al doped films.
Поступила в редакцию: 18.09.2013
Принята в печать: 24.09.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 8, Pages 1023–1027
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261408017X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: N. Sadananda Kumar, Kasturi V. Bangera, G. K. Shivakumar, “Properties of nanostructured doped ZnO thin films grown by spray pyrolysis technique”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1050–1054; Semiconductors, 48:8 (2014), 1023–1027
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SadBanShi14}
\by N.~Sadananda Kumar, Kasturi~V.~Bangera, G.~K.~Shivakumar
\paper Properties of nanostructured doped ZnO thin films grown by spray pyrolysis technique
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 1050--1054
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7667}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018909}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 1023--1027
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261408017X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7667
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i8/p1050
  • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025