Влияние толщины прослойки GaAs на квантовое связывание и оптическую поляризацию вертикально-коррелированной 10-слойной системы квантовых точек InAs/GaAs

Представлены результаты экспериментальных исследований поляризационной оптической анизотропии электролюминесценции и поглощения 10-слойной системы вертикально-коррелированных квантовых точек (ВККТ) InAs/GaAs, встроенной в двухсекционный лазер с секциями одинаковой длины и с толщиной прослойки GaAs между квантовыми точками InAs 8.6 нм. Установлено, что поляризационная анизотропия электролюминесценции и поглощения для такой системы меньше по сравнению с аналогичными величинами для систем с одним рядом квантовых точек и молекул квантовых точек, но больше, чем для сверхрешетки квантовых точек. Кроме того, представлены результаты исследований дифференциального поглощения в зависимости от приложенного к исследуемой структуре электрического поля. Измерена зависимость темпа изменения смещения Штарка от внешнего электрического поля, что позволило экспериментально выявить наличие контролируемого квантового связывания двух соседних квантовых точек в 10-слойных системах ВККТ InAs/GaAs с толщиной прослойки GaAs 8.6 и 30 нм. Измеренные поляризационные зависимости показали, что они определяются эффектом вовлечения основных состояний тяжелых дырок в оптические переходы и природа этого эффекта определяется двумерностью исследуемой системы.