Электрические свойства тонкопленочных полупроводниковых гетеропереходов $n$-TiO$_2$/$p$-CuInS$_2$

Изготовлены анизотипные тонкопленочные гетеропереходы $n$-TiO$_2$/$p$-CuInS$_2$ с использованием методов спрей-пиролиза и реактивного магнетронного распыления на постоянном напряжении. Проведен анализ электрических и оптических свойств тонких пленок CuInS$_2$, напыленных методом спрей-пиролиза при строго контролируемых режимах. Также исследованы электрические свойства тылового контакта Мо/CuInS$_2$ с помощью измерений трехзондовым методом. Установлен доминирующий механизм токопереноса в тонкопленочных гетеропереходах $n$-TiO$_2$/$p$-CuInS$_2$ при прямом и обратном смещениях, который хорошо интерпретируется в рамках туннельно-рекомбинационной модели с участием поверхностных состояний на гетерогранице и дефектов в области пространственного заряда.