Регистрация $U^-$-центров в пленках $g$-As$_2$Se$_3$ с помощью термоциклических измерений электропроводности

Закрепление уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны является одним из основных свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников. В большинстве моделей предполагается, что закрепление обусловлено присутствием сильно поляризующих решетку заряженных дефектов ($U$-центров) с энергетическими уровнями вблизи уровня Ферми. Для регистрации $U^-$-центров в работе применена методика термоциклирования, позволившая значительно увеличить время регистрации заряда, освобождаемого этими центрами. Представлены результаты измерений электропроводности пленок As$_2$Se$_3$ во время последовательных циклов охлаждения и нагрева образца, которые привели к появлению и эволюции двух дискретных пиков. Сделано заключение, что по крайней мере один из них обусловлен отрицательно заряженными $U^-$-центрами, расположенными вблизи уровня Ферми.