Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1117–1122 (Mi phts7677)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению

Н. Н. Герасименкоabc, К. Б. Тыныштыкбаевd, В. В. Старковe, Н. А. Медетовa, С. Ж. Токмолдинd, Е. А. Гостеваf

a НИУ "Московский государственный институт электронной техники", 124498 Зеленоград, Москва, Россия
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
c Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
d Физико-технический институт, 005032 Алматы, Республика Казахстан
e Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
f Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия
Аннотация: При длительном анодном травлении монокристаллического кремния $p$-Si (100) в электролитах с внутренним источником тока наблюдается образование трещин. Показано, что трещины формируются в условиях “мягкого” воздействия, когда возможно образование квазиравновесных точечных дефектов, их последующее пространственно-временное распределение в результате миграции к различным стокам и образование пор. Условия “мягкого” воздействия имеют место при электротехническом травлении в электролите с внутренним источником тока, а также при низкоэнергетических околопороговых радиационных облучениях, при тепловых, механических, химических и других воздействиях. Сделано заключение об общем характере процессов образования трещин в упругих твердых телах, связанном с трансформацией пор при длительных временах воздействия в микропоры и трещины.
Поступила в редакцию: 30.05.2013
Принята в печать: 06.12.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 8, Pages 1088–1093
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614080120
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Н. Герасименко, К. Б. Тыныштыкбаев, В. В. Старков, Н. А. Медетов, С. Ж. Токмолдин, Е. А. Гостева, “О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1117–1122; Semiconductors, 48:8 (2014), 1088–1093
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GerTynSta14}
\by Н.~Н.~Герасименко, К.~Б.~Тыныштыкбаев, В.~В.~Старков, Н.~А.~Медетов, С.~Ж.~Токмолдин, Е.~А.~Гостева
\paper О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 1117--1122
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7677}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018919}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 1088--1093
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614080120}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7677
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i8/p1117
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025