|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1117–1122
(Mi phts7677)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению
Н. Н. Герасименкоabc, К. Б. Тыныштыкбаевd, В. В. Старковe, Н. А. Медетовa, С. Ж. Токмолдинd, Е. А. Гостеваf a НИУ "Московский государственный институт электронной техники", 124498 Зеленоград, Москва, Россия
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
c Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
d Физико-технический институт, 005032 Алматы, Республика Казахстан
e Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
f Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия
Аннотация:
При длительном анодном травлении монокристаллического кремния $p$-Si (100) в электролитах с внутренним источником тока наблюдается образование трещин. Показано, что трещины формируются в условиях “мягкого” воздействия, когда возможно образование квазиравновесных точечных дефектов, их последующее пространственно-временное распределение в результате миграции к различным стокам и образование пор. Условия “мягкого” воздействия имеют место при электротехническом травлении в электролите с внутренним источником тока, а также при низкоэнергетических околопороговых радиационных облучениях, при тепловых, механических, химических и других воздействиях. Сделано заключение об общем характере процессов образования трещин в упругих твердых телах, связанном с трансформацией пор при длительных временах воздействия в микропоры и трещины.
Поступила в редакцию: 30.05.2013 Принята в печать: 06.12.2013
Образец цитирования:
Н. Н. Герасименко, К. Б. Тыныштыкбаев, В. В. Старков, Н. А. Медетов, С. Ж. Токмолдин, Е. А. Гостева, “О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1117–1122; Semiconductors, 48:8 (2014), 1088–1093
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7677 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i8/p1117
|
|