Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 8, страницы 1123–1131 (Mi phts7678)  

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

П. В. Серединa, А. С. Леньшинa, А. В. Глотовa, И. Н. Арсентьевb, Д. А. Винокуровb, И. С. Тарасовb, T. Prutskijc, H. Leisted, M. Rinked

a Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Instituto de Ciencias, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 3417, Col San Miguel Hueyotlipan, 72050 Puebla, Pue., Mexico
d Karlsruhe Nano Micro Facility, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Аннотация: Методами высокоразрешающей рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии изучены структурные, оптические и энергетические свойства твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что введение примеси магния в четырехкомпонентный твердый раствор обеспечивает высокую концентрацию носителей заряда. Уменьшение температуры роста приводит к снижению концентрации носителей заряда в пленках, легированных магнием с малым потоком газа-носителя акцепторной примеси, в то время как повышение потока приводит к возрастанию концентрации акцепторной примеси, что отражается на характере спектров фотолюминесценции.
Поступила в редакцию: 02.12.2013
Принята в печать: 23.12.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 8, Pages 1094–1102
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614080211
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Глотов, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke, “Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1123–1131; Semiconductors, 48:8 (2014), 1094–1102
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerLenGlo14}
\by П.~В.~Середин, А.~С.~Леньшин, А.~В.~Глотов, И.~Н.~Арсентьев, Д.~А.~Винокуров, И.~С.~Тарасов, T.~Prutskij, H.~Leiste, M.~Rinke
\paper Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 1123--1131
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7678}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018920}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 8
\pages 1094--1102
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614080211}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7678
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i8/p1123
  • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025