Кинетика электронных процессов в $\gamma$-облученных ($^{60}$Co) монокристаллах $n$-Ge

Исследованы изменения основных электрофизических параметров под влиянием $\gamma$-облучения ($^{60}$Co) в монокристаллах $n$-Ge с разным уровнем легирования. В определенном концентрационном интервале легирующей примеси обнаружено заметное повышение подвижности носителей заряда в облученных образцах и предложено объяснение природы полученного эффекта. Показано, что изменения подвижности электронов под влиянием $\gamma$-облучения, которые возникают в исходных кристаллах $n$-Ge с примесью кислорода и в кристаллах, подвергнутых отжигу, противоположны по знаку. Установлена решающая роль кислородных комплексов, которые образуются в процессе термообработки в образцах, и локальных механических напряжений решетки в окрестности таких комплексов в появлении эффекта радиационно-стимулированного повышения подвижности. Выяснено, что радиационная стойкость подвижности электронов существенным образом зависит от кристаллографической ориентации исследуемых образцов.