Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1176–1181 (Mi phts7686)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Структурные и оптические свойства плeнок ZnO, полученных безвакуумным химическим методом

В. В. Стрельчукa, Е. А. Авраменкоa, А. С. Романюкa, Л. В. Завьяловаa, Г. С. Свечниковa, В. С. Хомченкоa, Н. Н. Рощинаa, В. Н. Ткачb

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина
b Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля НАН Украины, 04074 Киев, Украина
Аннотация: Плeнки ZnO получены новым химическим безвакуумным методом: путeм пиролиза ацетилацетоната цинка при температуре 280–300$^\circ$C. Исследованы структурные, фононные и излучающие свойства плeнок ZnO при помощи рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии, комбинационного рассеяния света и фотолюминесцентной спектроскопии. Регистрация в рентгеновских дифракционных спектрах интенсивного пика (0002) указывает на преимущественную ориентацию кристаллитов в плeнках ZnO в направлении (0001). На основе анализа моды $E_2^{\mathrm{high}}$ в спектре комбинационного рассеяния света в плeнках ZnO определена величина упругих деформаций $\varepsilon_{zz}$ ($\sim$ 3.2 $\cdot$ 10$^{-3}$) и качество кристаллической структуры. Проведено сравнение характеристик полученной плeнки с аналогичными характеристиками плeнки ZnO, выращенной методом электронно-лучевой эпитаксии. В результате продемонстрирована возможность выращивания поликристаллических плeнок ZnO достаточно высокого качества c помощью низкотемпературного технологичного метода.
Поступила в редакцию: 01.10.2013
Принята в печать: 20.01.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 9, Pages 1145–1150
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261409019X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Стрельчук, Е. А. Авраменко, А. С. Романюк, Л. В. Завьялова, Г. С. Свечников, В. С. Хомченко, Н. Н. Рощина, В. Н. Ткач, “Структурные и оптические свойства плeнок ZnO, полученных безвакуумным химическим методом”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1176–1181; Semiconductors, 48:9 (2014), 1145–1150
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{StrAvrRom14}
\by В.~В.~Стрельчук, Е.~А.~Авраменко, А.~С.~Романюк, Л.~В.~Завьялова, Г.~С.~Свечников, В.~С.~Хомченко, Н.~Н.~Рощина, В.~Н.~Ткач
\paper Структурные и оптические свойства плeнок ZnO, полученных безвакуумным химическим методом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1176--1181
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7686}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018929}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1145--1150
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261409019X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7686
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i9/p1176
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025