Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы

Проведен детальный анализ полученных методом адмиттанс-спектроскопии экспериментальных данных по температурной зависимости скорости эмиссии электронов с основного состояния InAs квантовых точек в слое объемного заряда барьера Шоттки на матрице $n$-GaAs. Эти экспериментальные результаты описываются в одномерной модели термически активированного туннелирования с участием виртуальных состояний. При этом вид потенциального барьера, который должны преодолевать эмитируемые электроны, подбирается с помощью введения эффективной концентрации мелких доноров так, чтобы величины энергии связи электронов в квантовых точках были близки к найденным из результатов измерений вольт-фарадных характеристик исследованных структур. Полученные таким образом сечения захвата электронов растут с увеличением энергии связи основного состояния (размера квантовых точек). Для InAs квантовых точек со средним латеральным размером 9 и 20 нм значения сечений захвата лежат соответственно в диапазонах 1 $\cdot$ 10$^{-14}$ – 2 $\cdot$ 10$^{-13}$ и 4 $\cdot$ 10$^{-12}$ –2 $\cdot$ 10$^{-11}$ см$^2$.