Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1194–1197 (Mi phts7690)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Ширина запрещенной зоны твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Беларусь
Аннотация: На монокристаллах соединений FeIn$_2$S$_4$, In$_2$S$_3$ и твердых растворах (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$, выращенных методом Бриджмена, при 80 и 295 K изучены спектры пропускания в области края фундаментальной полосы поглощения. По полученным спектрам определена ширина запрещенной зоны соединений FeIn$_2$S$_4$, In$_2$S$_3$ и твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$, а также построена ее концентрационная зависимость. Установлено, что ширина запрещенной зоны с составом х изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью.
Поступила в редакцию: 19.12.2013
Принята в печать: 24.01.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 9, Pages 1163–1166
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261409005X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, “Ширина запрещенной зоны твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1194–1197; Semiconductors, 48:9 (2014), 1163–1166
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bon14}
\by И.~В.~Боднарь
\paper Ширина запрещенной зоны твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1194--1197
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7690}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018933}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1163--1166
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261409005X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7690
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i9/p1194
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025