|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1194–1197
(Mi phts7690)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Ширина запрещенной зоны твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$
И. В. Боднарь Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Беларусь
Аннотация:
На монокристаллах соединений FeIn$_2$S$_4$, In$_2$S$_3$ и твердых растворах (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$, выращенных методом Бриджмена, при 80 и 295 K изучены спектры пропускания в области края фундаментальной полосы поглощения. По полученным спектрам определена ширина запрещенной зоны соединений FeIn$_2$S$_4$, In$_2$S$_3$ и твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$, а также построена ее концентрационная зависимость. Установлено, что ширина запрещенной зоны с составом х изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью.
Поступила в редакцию: 19.12.2013 Принята в печать: 24.01.2014
Образец цитирования:
И. В. Боднарь, “Ширина запрещенной зоны твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1194–1197; Semiconductors, 48:9 (2014), 1163–1166
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7690 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i9/p1194
|
|