Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1198–1204 (Mi phts7691)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Сбор фотоносителей в высокоомных кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктурах

И. М. Котинаa, А. М. Данишевскийb, О. И. Коньковb, Е. И. Теруковbc, Л. М. Тухконенa

a Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова РАН, 188300 Гатчина, Ленинградская область, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (316 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Pассматривается механизм электронного транспорта в аморфно-кристаллических гетероструктурах, созданных на основе высокоомного $p$-кремния, с целью объяснения особенностей экспериментальных спектров фоточувствительности указанных структур, приготовленных на подложках с различным удельным сопротивлением. Выясняется причина образования инверсионного слоя на гетерогранице в данных структурах и влияние удельного сопротивления на величину поверхностных потенциалов. Приведены нетривиальные данные о влиянии работы выхода металлических контактов к аморфной пленке на механизм образования фототока.
Поступила в редакцию: 25.12.2013
Принята в печать: 30.12.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, Pages 1167–1173
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614090127
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. М. Котина, А. М. Данишевский, О. И. Коньков, Е. И. Теруков, Л. М. Тухконен, “Сбор фотоносителей в высокоомных кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1198–1204; Semiconductors, 1167–1173
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KotDanKon14}
\by И.~М.~Котина, А.~М.~Данишевский, О.~И.~Коньков, Е.~И.~Теруков, Л.~М.~Тухконен
\paper Сбор фотоносителей в высокоомных кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктурах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1198--1204
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7691}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018934}
\transl
\jour Semiconductors
\pages 1167--1173
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614090127}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7691
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i9/p1198
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025