Механизмы токопереноса в гетероструктурах на основе тонких пленок TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$

Изготовлены анизотипные гетероструктуры $n$-TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$/$p$-Si методом электронно-лучевого испарения пленки TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$ на полированную подложку из поликристаллического кремния. Исследованы электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса: многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм с участием поверхностных состояний на металлургической границе раздела TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$/Si при малых прямых смещениях; при смещениях $>$ 0.8 В доминирующим механизмом токопереноса является туннелирование. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках одноступенчатого туннельного механизма токопереноса.