Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1209–1216 (Mi phts7693)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние наномостиков на спектр излучения туннельной пары квантовая точка–квантовая яма

В. Г. Талалаевabcd, Г. Э. Цырлинefghd, Л. И. Горайhe, Б. В. Новиковd, М. Э. Лабзовскаяd, J. W. Tommc, P. Wernera, B. Fuhrmannb, J. Schillingb, P. N. Raceci

a Max Planck Institute of Microstructure Physics, 06120 Halle (Saale), Germany
b Martin Luther University Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano, 06120 Halle, Germany
c Max Born Institute for Nonlinear Optics and Short Pulse Spectroscopy, 12489 Berlin, Germany
d Институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Петродворец, Санкт-Петербург, Россия
e Санкт-Петербургский академический университет Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
f Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
g Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
h Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 190103 Санкт-Петербург, Россия
i Weierstrass Institute for Applied Analysis and Stochastics, 10117 Berlin, Germany
PDF полного текста (598 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: В узком спектральном диапазоне 950–1000 нм получено излучение на оптическом переходе NB с участием экспериментально и теоретически наблюдаемых гибридных состояний в системе на основе InGaAs: квантовая точка–наномостик–квантовая яма. Экспериментально показано, что сила осциллятора нового перехода резко возрастает во встроенном электрическом поле pin-перехода. В режиме слабых токов в изучаемой системе переход NB является доминирующим каналом электролюминесценции. При плотности тока $>$ 10 A $\cdot$ см$^{-2}$ обнаружено “выгорание” наномостиков, после чего система становится “квазиклассической” туннельной парой из квантовой точки и квантовой ямы, разделенных барьером.
Поступила в редакцию: 25.12.2013
Принята в печать: 24.01.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 9, Pages 1178–1184
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614090218
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Г. Талалаев, Г. Э. Цырлин, Л. И. Горай, Б. В. Новиков, М. Э. Лабзовская, J. W. Tomm, P. Werner, B. Fuhrmann, J. Schilling, P. N. Racec, “Влияние наномостиков на спектр излучения туннельной пары квантовая точка–квантовая яма”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1209–1216; Semiconductors, 48:9 (2014), 1178–1184
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TalCirGor14}
\by В.~Г.~Талалаев, Г.~Э.~Цырлин, Л.~И.~Горай, Б.~В.~Новиков, М.~Э.~Лабзовская, J.~W.~Tomm, P.~Werner, B.~Fuhrmann, J.~Schilling, P.~N.~Racec
\paper Влияние наномостиков на спектр излучения туннельной пары квантовая точка--квантовая яма
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1209--1216
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7693}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018936}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1178--1184
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614090218}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7693
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i9/p1209
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025