Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1228–1233 (Mi phts7695)  
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе

И. Е. Тысченкоa, М. Фельсковb, А. Г. Черковa, В. П. Поповa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт ионно-лучевой физики, Исследовательский Центр Россендорф, Д-01314 Дрезден, Германия
PDF полного текста (564 kB) Список цитирования (12)
Аннотация: Исследован ионный синтез нанокристаллов InSb в слое захороненного SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе. Изучены профили распределения атомов индия и сурьмы после отжига при температуре $T_a$ = 500–1100$^\circ$C. Установлено, что перераспределение имплантированных атомов имеет немонотонный характер в зависимости от температуры отжига. Формирование нанокристаллов InSb происходит при $T_a\ge$ 800$^\circ$C вблизи границы Si/SiO$_2$ и на глубине средних пробегов Rp. Анализ профилей имплантированных атомов и структуры и распределения по глубине формирующихся нанокристаллов позволил сделать предположение о двухстадийном характере образования фазы InSb: на первой стадии происходит формирование преципитатов сурьмы, которые играют роль зародышей для дальнейшего стока на них атомов In и Sb.
Поступила в редакцию: 16.01.2014
Принята в печать: 03.02.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 9, Pages 1196–1201
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614090231
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Е. Тысченко, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов, “Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1228–1233; Semiconductors, 48:9 (2014), 1196–1201
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TysVoeChe14}
\by И.~Е.~Тысченко, М.~Фельсков, А.~Г.~Черков, В.~П.~Попов
\paper Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1228--1233
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7695}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018938}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1196--1201
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614090231}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7695
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i9/p1228
    • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025