Туннельный транспорт через массивы пассивированных нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра–Блоджетт

Методом сканирующей электронной спектроскопии исследован туннельный электронный транспорт через массивы нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра–Блоджетт. Исследовано влияние атмосферы отжига матрицы на туннельный транспорт через массивы нанокристаллов. По туннельным вольт-амперным характеристикам обнаружен захват электронов на ловушки в случае нанокристаллов, отожженных в вакууме. Туннельные вольт-амперные характеристики проанализированы с помощью модели, связывающей данные туннельной спектроскопии, фотолюминесценции и квантово-механический расчет. Анализ показал, что при отжиге в аммиаке происходит пассивация поверхности нанокристаллов его монослоем. Обнаружено, что подложка и окружающие непассивированные нанокристаллы влияют на поляризационную энергию электронов.