Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1249–1253 (Mi phts7699)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge

В. М. Андреев, Е. А. Гребенщикова, П. А. Дмитриев, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, А. А. Усикова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (423 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Исследованы фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge в зависимости от метода формирования чипа фотоэлемента. Показано, что применение разработанной постростовой технологии разделения на чипы наногетероструктуры в едином процессе позволяет повысить качество пассивации боковой поверхности мезы чипов, что обеспечивает уменьшение поверхностных токов утечки и увеличение выхода приборов с улучшенными характеристиками.
Поступила в редакцию: 27.12.2013
Принята в печать: 20.01.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 9, Pages 1217–1221
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614090024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Андреев, Е. А. Гребенщикова, П. А. Дмитриев, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, А. А. Усикова, “Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1249–1253; Semiconductors, 48:9 (2014), 1217–1221
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndGreDmi14}
\by В.~М.~Андреев, Е.~А.~Гребенщикова, П.~А.~Дмитриев, Н.~Д.~Ильинская, В.~С.~Калиновский, Е.~В.~Контрош, А.~В.~Малевская, А.~А.~Усикова
\paper Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1249--1253
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7699}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018943}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1217--1221
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614090024}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7699
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i9/p1249
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025