Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1265–1268 (Mi phts7702)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Взаимодействие гетерогенных тонких пленок и образование фаз в системе Tl–Fe–S

Э. Б. Аскеровab, А. И. Мададзадаac, Д. И. Исмаиловc, Р. Н. Мехтиеваb

a Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия
b Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
c Институт физики НАН Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
Аннотация: Методами дифракции электронов высоких энергий с дискретной съемкой дифракционного поля и применительно к электронографу ЭМР-102 кинематической электронографией исследованы процессы фазообразования и фазовых переходов в тонких слоях Tl–Fe–S. Установлено, что соединения систем Tl–S, Fe–S образуются в аморфном и высокодисперсном поликристаллическом состояниях соответственно. Тройное соединение состава TlFeS$_2$, образующееся в аморфном состоянии, при термообработке кристаллизуется в моноклинной решетке. При рекристаллизации поликристаллических пленок моноклинного TlFeS$_2$ образуется моноклинная решетка вторичной фазы TlFeS$_2$.
Поступила в редакцию: 01.10.2013
Принята в печать: 07.11.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 9, Pages 1233–1236
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614090036
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. Б. Аскеров, А. И. Мададзада, Д. И. Исмаилов, Р. Н. Мехтиева, “Взаимодействие гетерогенных тонких пленок и образование фаз в системе Tl–Fe–S”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1265–1268; Semiconductors, 48:9 (2014), 1233–1236
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AskMadIsm14}
\by Э.~Б.~Аскеров, А.~И.~Мададзада, Д.~И.~Исмаилов, Р.~Н.~Мехтиева
\paper Взаимодействие гетерогенных тонких пленок и образование фаз в системе Tl--Fe--S
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1265--1268
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7702}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018946}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1233--1236
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614090036}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7702
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i9/p1265
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025