Влияние ионно-лучевой обработки в процессе реактивного высокочастотного магнетронного распыления на концентрацию и подвижность носителей заряда в пленках ITO

Показано, что ионная обработка в процессе получения пленок ITO реактивным высокочастотным магнетронным распылением способствует уменьшению сопротивления пленок даже при комнатной температуре. Исследовано изменение значений холловской подвижности и концентрации носителей заряда в зависимости от температуры конденсации и тока ионной обработки. Уменьшение сопротивления происходит преимущественно за счет увеличения концентрации основных носителей заряда. Предполагается, что изменение концентрации носителей заряда связано с дефектами (2Sn$_{\mathrm{In}}^\bullet$O$''_i$)$^x$.