Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1274–1279 (Mi phts7704)  

Эта публикация цитируется в 21 научных статьях (всего в 21 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Электрические и оптические свойства пленок оксида цинка, нанесенных методом ионно-лучевого распыления оксидной мишени

А. П. Достанкоa, О. А. Агеевb, Д. А. Голосовa, С. М. Завадскийa, Е. Г. Замбургb, Д. Е. Вакуловb, З. Е. Вакуловb

a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Беларусь
b Южный федеральный университет, 347928 Таганрог, Россия
Аннотация: Проведены исследования влияния параметров процесса нанесения на стехиометрический состав, электрофизические и оптические свойства пленок оксида цинка, получаемых методом ионно-лучевого распыления ZnO-мишени. Установлено, что при распылении ZnO-мишени стехиометрического состава в нанесенных пленках наблюдается недостаток кислорода. Даже при распылении мишени в среде чистого O$_2$ стехиометрический индекс нанесенных пленок не превышал 0.98. Уменьшение содержания кислорода в нанесенных пленках сопровождалось резким уменьшением удельного сопротивления до 35 – 40 Ом $\cdot$ м, уменьшением оптической ширины запрещенной зоны и сдвигом края оптического пропускания с 389 до 404 нм. Все изменения оптических и электрических свойств пленок ZnO можно объяснить изменением концентрации и подвижности свободных носителей в пленке.
Поступила в редакцию: 25.11.2013
Принята в печать: 03.12.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 9, Pages 1242–1247
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614090073
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Достанко, О. А. Агеев, Д. А. Голосов, С. М. Завадский, Е. Г. Замбург, Д. Е. Вакулов, З. Е. Вакулов, “Электрические и оптические свойства пленок оксида цинка, нанесенных методом ионно-лучевого распыления оксидной мишени”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1274–1279; Semiconductors, 48:9 (2014), 1242–1247
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DosAgeGol14}
\by А.~П.~Достанко, О.~А.~Агеев, Д.~А.~Голосов, С.~М.~Завадский, Е.~Г.~Замбург, Д.~Е.~Вакулов, З.~Е.~Вакулов
\paper Электрические и оптические свойства пленок оксида цинка, нанесенных методом ионно-лучевого распыления оксидной мишени
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1274--1279
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7704}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018948}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1242--1247
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614090073}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7704
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i9/p1274
  • Эта публикация цитируется в следующих 21 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025