Температурная стабильность контактных систем фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb

Исследована инициированная температурная деградация контактных систем Cr–Au, Cr–Au–Ag–Au, Ti–Pt–Au, Ti–Pt–Ag, осажденных на поверхность $p$-GaSb методами магнетронного распыления и резистивного испарения. Установлено, что фотоэлектрические преобразователи с контактной сеткой на основе Ti–Pt–Ag характеризуются максимальной термической стабильностью. Фотоэлементы с золотосодержащими контактными композициями на основе Cr–Au и Ti–Pt–Au с ростом температуры имеют высокий темп деградации, что может потребовать при эксплуатации более эффективной системы теплоотвода.