Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 9, страницы 1287–1293 (Mi phts7706)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией

Д. А. Закгеймab, Г. В. Иткинсонb, М. В. Кукушкинb, Л. К. Марковab, О. В. Осиповb, А. С. Павлюченкоa, И. П. Смирноваab, А. Е. Черняковc, Д. А. Бауманd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b ООО "НТС Инновации", 194223 Санкт-Петербург, Россия
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
d ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника", 194156 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (1570 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Сообщается о разработке и изготовлении мощного светодиодного флип-чип кристалла AlGaInN с новой топологией расположения контактных площадок. Использование двухуровневой схемы расположения металлизации с промежуточным изолирующим слоем диэлектрика позволило значительно повысить эффективность использования площади гетероструктуры (до 78%). Применение численного моделирования растекания тока при разработке топологии кристалла позволило достичь высокой однородности распределения тока накачки по площади активной области, а также низких значений дифференциального сопротивления (0.3 Ом). На основе разработанных кристаллов были изготовлены светодиоды с максимальным значением внешней квантовой эффективности 60% и выходной оптической мощностью 542 мВт при рабочем токе накачки 350 мА.
Поступила в редакцию: 27.12.2013
Принята в печать: 24.01.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 9, Pages 1254–1259
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614090267
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Закгейм, Г. В. Иткинсон, М. В. Кукушкин, Л. К. Марков, О. В. Осипов, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, А. Е. Черняков, Д. А. Бауман, “Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1287–1293; Semiconductors, 48:9 (2014), 1254–1259
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZakItkKuk14}
\by Д.~А.~Закгейм, Г.~В.~Иткинсон, М.~В.~Кукушкин, Л.~К.~Марков, О.~В.~Осипов, А.~С.~Павлюченко, И.~П.~Смирнова, А.~Е.~Черняков, Д.~А.~Бауман
\paper Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1287--1293
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7706}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018951}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 9
\pages 1254--1259
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614090267}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7706
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i9/p1287
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025