Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1323–1328 (Mi phts7713)  

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Влияние температуры на термодинамическую плотность состояний в квантующем магнитном поле

Г. Гулямовa, У. И. Эркабоевa, Н. Ю. Шарибаевab

a Наманганский инженерно-педагогический институт, 160103 Наманган, Узбекистан
b Наманганский инженерно-технологический институт, 116008 Наманган, Узбекистан
Аннотация: Исследована зависимость плотности энергетических состояний $(N_s)$ от температуры в квантующем магнитном поле. Показано, что с ростом температуры за счет термического уширения размываются уровни Ландау, и $N_s$ превращаются в плотность состояний как в отсутствие магнитного поля. С помощью математической модели рассмотрена температурная зависимость распределения плотности энергетических состояний в сильных магнитных полях на полупроводниках. Показано, что сплошной спектр плотности состояний, измеренный при температуре жидкого азота, при низких температурах превращается в дискретные уровни Ландау. Математическое моделирование процессов с использованием экспериментальных значений сплошного спектра плотности состояний дает возможность рассчитать дискретные уровни Ландау. С помощью предложенной модели исследованы экспериментальные результаты, полученные для PbS. Из высокотемпературной $N_s$ получены расчеты плотности состояний при низких температурах.
Поступила в редакцию: 25.12.2013
Принята в печать: 26.03.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 10, Pages 1287–1292
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614100108
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Гулямов, У. И. Эркабоев, Н. Ю. Шарибаев, “Влияние температуры на термодинамическую плотность состояний в квантующем магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1323–1328; Semiconductors, 48:10 (2014), 1287–1292
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GulErkSha14}
\by Г.~Гулямов, У.~И.~Эркабоев, Н.~Ю.~Шарибаев
\paper Влияние температуры на термодинамическую плотность состояний в квантующем магнитном поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 10
\pages 1323--1328
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7713}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018958}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 10
\pages 1287--1292
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614100108}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7713
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i10/p1323
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025