|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1323–1328
(Mi phts7713)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Влияние температуры на термодинамическую плотность состояний в квантующем магнитном поле
Г. Гулямовa, У. И. Эркабоевa, Н. Ю. Шарибаевab a Наманганский инженерно-педагогический институт, 160103 Наманган, Узбекистан
b Наманганский инженерно-технологический институт,
116008 Наманган, Узбекистан
Аннотация:
Исследована зависимость плотности энергетических состояний $(N_s)$ от температуры в квантующем магнитном поле. Показано, что с ростом температуры за счет термического уширения размываются уровни Ландау, и $N_s$ превращаются в плотность состояний как в отсутствие магнитного поля. С помощью математической модели рассмотрена температурная зависимость распределения плотности энергетических состояний в сильных магнитных полях на полупроводниках. Показано, что сплошной спектр плотности состояний, измеренный при температуре жидкого азота, при низких температурах превращается в дискретные уровни Ландау. Математическое моделирование процессов с использованием экспериментальных значений сплошного спектра плотности состояний дает возможность рассчитать дискретные уровни Ландау. С помощью предложенной модели исследованы экспериментальные результаты, полученные для PbS. Из высокотемпературной $N_s$ получены расчеты плотности состояний при низких температурах.
Поступила в редакцию: 25.12.2013 Принята в печать: 26.03.2014
Образец цитирования:
Г. Гулямов, У. И. Эркабоев, Н. Ю. Шарибаев, “Влияние температуры на термодинамическую плотность состояний в квантующем магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1323–1328; Semiconductors, 48:10 (2014), 1287–1292
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7713 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i10/p1323
|
|