|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1329–1331
(Mi phts7714)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Электронные свойства полупроводников
О сравнении радиационной стойкости кремния и карбида кремния
А. А. Лебедев, В. В. Козловский Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Проводится сравнение радиационной стойкости на примере карбида кремния и кремния. Показано, что одна из основных характеристик радиационной стойкости полупроводника – скорость удаления носителей $(V_d)$, в случае широкозонных полупроводников будет сильно зависеть от условий ее измерения. Сделан вывод, что сравнение величин $V_d$, полученных при комнатной температуре для Si и SiC, не является полностью корректным с физической точки зрения.
Поступила в редакцию: 18.03.2014 Принята в печать: 26.03.2014
Образец цитирования:
А. А. Лебедев, В. В. Козловский, “О сравнении радиационной стойкости кремния и карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1329–1331; Semiconductors, 48:10 (2014), 1293–1295
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7714 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i10/p1329
|
|