Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1329–1331 (Mi phts7714)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Электронные свойства полупроводников

О сравнении радиационной стойкости кремния и карбида кремния

А. А. Лебедев, В. В. Козловский

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Проводится сравнение радиационной стойкости на примере карбида кремния и кремния. Показано, что одна из основных характеристик радиационной стойкости полупроводника – скорость удаления носителей $(V_d)$, в случае широкозонных полупроводников будет сильно зависеть от условий ее измерения. Сделан вывод, что сравнение величин $V_d$, полученных при комнатной температуре для Si и SiC, не является полностью корректным с физической точки зрения.
Поступила в редакцию: 18.03.2014
Принята в печать: 26.03.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 10, Pages 1293–1295
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614100170
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Лебедев, В. В. Козловский, “О сравнении радиационной стойкости кремния и карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1329–1331; Semiconductors, 48:10 (2014), 1293–1295
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LebKoz14}
\by А.~А.~Лебедев, В.~В.~Козловский
\paper О сравнении радиационной стойкости кремния и карбида кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 10
\pages 1329--1331
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7714}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018959}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 10
\pages 1293--1295
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614100170}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7714
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i10/p1329
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025