Определение структурных и оптических характеристик тонких пленок полупроводниковых соединений Cu$_2$ZnSnS$_4$

Приведены результаты рентгенографических и оптических исследований пленок соединения Cu$_2$ZnSnS$_4$, полученных методом мгновенного испарения (flash evaporation) бинарных сульфидных соединений при разных технологических условиях. Показано, что можно получить достаточно качественные в структурном и оптическом отношении пленки этого соединения путем подбора оптимальных значений температуры отжига при разных давлениях паров Ar. Определены параметры решетки полученных соединений. Установлена закономерность смещения полос фотолюминесценции от уровня возбуждения. Установлено, что характеристики полос в значительной степени зависят от температуры отжига, давления аргона при термической обработке и в конечном итоге от стехиометрии образцов. Показано, что исследования комбинационного рассеяния света и люминесценции могут быть использованы для оценки качества синтезированных пленок соединений Cu$_2$ZnSnS$_4$ и получения информации об энергетической структуре дефектов в запрещенной зоне.