Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1339–1343 (Mi phts7716)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода

И. Е. Тысченкоa, В. А. Володинab, В. В. Козловскийc, В. П. Поповa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 194251 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (160 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Методом комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы свойства пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода ($\sim$ 50 ат%) и отожженных под давлением 10.5 кбар. В исследованных пленках обнаружена высокая степень локализации оптического фонона, которая сохраняется до температуры отжига $\sim$ 1000$^\circ$C и объясняется формированием нанокристаллов кремния. Установлено, что энергия активации отжига структурной релаксации оборванных связей в пленках c большим содержанием водорода не зависит от величины давления при отжиге. Энергия активации роста кристаллической фазы, рассчитанная из спектров КРС, составляет $\sim$ 1.5 эВ и также не зависит от величины давления. Эффект гидростатического давления заключается лишь в уменьшении частотного фактора, лимитирующего перезамыкание Si–Si связей в процессе упорядочения.
Поступила в редакцию: 20.03.2014
Принята в печать: 28.04.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 10, Pages 1303–1307
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614100285
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. В. Козловский, В. П. Попов, “Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1339–1343; Semiconductors, 48:10 (2014), 1303–1307
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TysVolKoz14}
\by И.~Е.~Тысченко, В.~А.~Володин, В.~В.~Козловский, В.~П.~Попов
\paper Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 10
\pages 1339--1343
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7716}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018961}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 10
\pages 1303--1307
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614100285}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7716
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i10/p1339
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025