Квантовые поправки для пороговых напряжений полностью обедняемых КНИ транзисторов с двумя независимыми затворами

Изучается эффект линейной зарядовой связи пороговых напряжений нижнего (полевого) затвора $V_{\mathrm{th}}$, в качестве которого служила подложка структуры кремний-на-изоляторе, полностью обедняемых $n$-МДП транзисторов на слабо легированном слое кремния толщиной 20–50 нм, в зависимости от величины напряжения $V_{\mathrm{bg}}$ верхнего асимметрично смещенного (с отрицательной полярностью) $N^+$-poly-Si затвора. Показано, что квантово-механическая поправка, определяемая электростатически индуцированным размерным эффектом поперечного поля, должна учитываться при определении области линейной зарядовой связи между затворами даже при толщине слоя кремния $\sim$ 50 нм. Увеличение положительного заряда на поверхностных состояниях на гетерогранице со слоем кремния увеличивает величину квантово-механической поправки в 2–4 раза из-за эффекта квантовой емкости, влияющего на перезарядку донорных ловушек при большой разнице разнополярных потенциалов двух затворов.