|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1370–1376
(Mi phts7721)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Транспорт заряда в нанокомпозитных структурах кремний-SiО$_2$, кремний-ТiО$_2$
Ю. С. Милованов, Г. В. Кузнецов, В. А. Скрышевский, С. М. Стюпан Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, 01601 Киев, Украина
Аннотация:
Приведены результаты экспериментальных исследований дисперсных нанокомпозитных систем кремний-SiО$_2$ и кремний-ТiО$_2$, отличающихся физико-химическими и диэлектрическими свойствами оксидных компонентов. Параметры нанокомпозитных структур исследованы методами ИК-спектроскопии и импеданс-спектроскопии. Показано, что механизмы прохождения носителей заряда в таких структурах определяются как свойствами нанокристаллитов кремния и соответствующего оксида, так и процессами взаимодействия на межзеренных границах.
Поступила в редакцию: 17.12.2013 Принята в печать: 11.03.2014
Образец цитирования:
Ю. С. Милованов, Г. В. Кузнецов, В. А. Скрышевский, С. М. Стюпан, “Транспорт заряда в нанокомпозитных структурах кремний-SiО$_2$, кремний-ТiО$_2$”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1370–1376; Semiconductors, 48:10 (2014), 1335–1341
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7721 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i10/p1370
|
|