К вопросу о температурной делокализации носителей заряда в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaAs

Исследовано явление температурной делокализации в полупроводниковых лазерах на основе симметричных и асимметричных гетероструктур раздельного ограничения, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длина волны излучения $\lambda$ = 1060 нм). Экспериментальные и расчетные оценки показывают, что концентрация носителей заряда в волноводе возрастает на порядок при увеличении температуры полупроводникового лазера на $\sim$ 100$^\circ$С. Установлено, что рост температуры активной области ведет к усилению температурной делокализации как электронов, так и дырок. Показано, что делокализация дырок начинается при более высоких температурах, чем делокализация электронов. Экспериментально установлено, что начало температурной делокализации зависит от пороговой концентрации носителей заряда в активной области лазера при комнатной температуре. Установлено, что увеличение энергетической глубины активной области посредством выбора материала волновода позволяет полностью подавить процесс температурной делокализации вплоть до 175$^\circ$С.