Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1388–1393 (Mi phts7724)  

Эта публикация цитируется в 23 научных статьях (всего в 23 статьях)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Особенности получения плотной керамики на основе цирконата бария

Ю. Г. Лягаева, Д. А. Медведев, А. К. Демин, Т. В. Ярославцева, С. В. Плаксин, Н. М. Поротникова

Институт высокотемпературной электрохимии УРО РАН, 620990 Екатеринбург, Россия
Аннотация: Синтезированы образцы BaZr$_{0.8}$Y$_{0.2}$O$_{3-\delta}$ твердофазным, цитрат-нитратным методами, а также химическим соосаждением гидроксидов. Установлено, что цитрат-нитратное сжигание является наиболее оптимальным методом, поскольку полученный по нему порошок с последующим синтезом при 1150$^\circ$C однофазен, а также характеризуется высокой дисперсностью. Показано, что переход от стандартной керамической к растворным технологиям способствует снижению размеров частиц порошка от $\sim$680 нм (твердофазный метод) до 75 нм (цитрат-нитратное сжигание), однако при этом относительная плотность керамики, спеченной при 1450$^\circ$C, не превышает 67.4%. Плотная керамика с относительной плотностью 90.2% получена путем совместного использования цитрат-нитратного сжигания и добавления к исходным прекурсорам спекающей добавки Со$_3$О$_4$ в количестве 1 мас%.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 10, Pages 1353–1358
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614100182
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Г. Лягаева, Д. А. Медведев, А. К. Демин, Т. В. Ярославцева, С. В. Плаксин, Н. М. Поротникова, “Особенности получения плотной керамики на основе цирконата бария”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1388–1393; Semiconductors, 48:10 (2014), 1353–1358
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LyaMedDem14}
\by Ю.~Г.~Лягаева, Д.~А.~Медведев, А.~К.~Демин, Т.~В.~Ярославцева, С.~В.~Плаксин, Н.~М.~Поротникова
\paper Особенности получения плотной керамики на основе цирконата бария
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 10
\pages 1388--1393
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7724}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018970}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 10
\pages 1353--1358
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614100182}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7724
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i10/p1388
  • Эта публикация цитируется в следующих 23 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025