Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1394–1397 (Mi phts7725)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

$P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)

P. N. Brunkovab, N. D. Il'inskayaa, S. A. Karandashova, N. M. Latnikovac, A. A. Lavrova, B. A. Matveeva, A. S. Petrovd, M. A. Remennyia, E. N. Sevostyanovc, N. M. Stusa

a Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
b National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics (ITMO), 197101 St. Petersburg, Russia
c LETI Ul’yanov (Lenin) St. Petersburg Electrotechnical University, 197376 St. Petersburg, Russia
d Electron National Research Institute, 194223 St. Petersburg, Russia
PDF полного текста (504 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: InAs single heterostructure photodiodes were considered as alternatives to cooled CdHgTe-based detectors sensitive to radiation around 3 $\mu$m spectral region in a wide temperature range 77–300 K. Estimations of detectivity as well as $p$–$n$ junction position in InAs heterostructures have been obtained via photoelectrical and AFM measurements.
Поступила в редакцию: 14.01.2014
Принята в печать: 24.01.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 10, Pages 1359–1362
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614100066
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: P. N. Brunkov, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, N. M. Latnikova, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, A. S. Petrov, M. A. Remennyi, E. N. Sevostyanov, N. M. Stus, “$P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1394–1397; Semiconductors, 48:10 (2014), 1359–1362
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BruIliKar14}
\by P.~N.~Brunkov, N.~D.~Il'inskaya, S.~A.~Karandashov, N.~M.~Latnikova, A.~A.~Lavrov, B.~A.~Matveev, A.~S.~Petrov, M.~A.~Remennyi, E.~N.~Sevostyanov, N.~M.~Stus
\paper $P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150--220 K)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 10
\pages 1394--1397
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7725}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018971}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 10
\pages 1359--1362
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614100066}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7725
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i10/p1394
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025