Инжекционный фотодиод на основе $p$-Si–$n$-CdS–$n^+$-CdS-структуры

Создан инжекционный фотодиод на основе $p$-Si–$n$-CdS–$n^+$-CdS-структуры, который имеет высокое значение коэффициента выпрямления (10$^5$) при комнатной температуре. Показано, что световые и темновые вольт-амперные характеристики структуры имеют одинаковые закономерности. Установлено, что при плотностях тока $I$ = 10$^{-2}$ – 5 $\cdot$ 10$^{-4}$ A/см$^2$ в структуре реализуется режим “длинных” диодов и при этом величины интегральной $(S_{\mathrm{int}})$ и спектральной $(S_{\lambda})$ чувствительностей резко увеличиваются. Обнаружено, что $S_{\mathrm{int}}$ = 2.8 $\cdot$ 10$^4$ A/люм (3 $\cdot$ 10$^6$A/Вт) для уровня освещенности $E$ = 0.1 люкс и $S_{\lambda}$ = 2.3 $\cdot$ 10$^4$ А/Вт при облучении лазером с $\lambda$ = 625 нм и мощностью $P$ = 10 мкВт/см$^2$ при напряжении смещения $V$ = 20 В. Установлено, что механизм усиления фототока в основном связан с модуляцией амбиполярной подвижности носителей.