Фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур на основе мезопористого кремния, пассивированного железом

Исследованы фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур на основе мезопористого кремния, пассивированного железом (SiMP : Fe). Показано, что эти свойства зависят от концентрации железа неоднозначно. В случае образца с токами, ограниченными пространственным зарядом (ТОПЗ), при освещении происходит изменение механизма токопереноса в гетероструктуре Al-SiMP : Fe-$p$-Si-Al от ТОПЗ в темноте к барьерному типу при освещении. Пассивация железом концентрацией 0.1–0.2 ат% стабилизирует не только электрофизические, но и фотоэлектрические и фотовольтаические свойства структур. Дальнейшее увеличение концентрации Fe приводит к образованию новых ловушек, вызванных появлением окислов железа и кремния, что приводит к нестабильности свойств. Структуры в области малой освещенности имеют высокую фоточувствительность. Напряжение открытой цепи составляет 16 мВ при мощности излучения АМ-1 $\approx$ 2 мВт/см$^2$.