|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1409–1415
(Mi phts7728)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Планарные светоизлучающие микрорезонаторы на основе гидрогенизированного аморфного карбида кремния
А. В. Медведевa, Н. А. Феоктистовab, С. А. Грудинкинab, А. А. Дукинa, В. Г. Голубевab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Методом плазмохимического газофазного осаждения изготовлены планарные микрорезонаторы Фабри–Перо с излучающим на границе видимого и инфракрасного диапазонов спектра активным слоем. Микрорезонаторы состоят из активного слоя $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H с повышенным содержанием углерода и распределенных брэгговских отражателей из чередующихся неизлучающих слоев $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H/$a$-SiO$_2$. Активный слой и распределенные брэгговские отражатели выращены в едином технологическом цикле. Благодаря высокому оптическому контрасту и малому поглощению слоев распределенных брэгговских отражателей достигнута большая добротность микрорезонаторов ($Q$ = 316) и высокая степень направленности излучения из микрорезонаторов при трех парах слоев в распределенных брэгговских отражателях. Интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре оказывается на 2 порядка выше по сравнению с интенсивностью излучения идентичного слоя $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H без распределенных брэгговских отражателей. Из сопоставления экспериментальных и рассчитанных методом матриц переноса с учетом дисперсии вещественной и мнимой частей показателя преломления $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H спектров пропускания сделана оценка степени систематического отклонения толщин слоев в распределенных брэгговских отражателях и определена верхняя граница коэффициента поглощения в слоях $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H.
Поступила в редакцию: 27.02.2014 Принята в печать: 11.03.2014
Образец цитирования:
А. В. Медведев, Н. А. Феоктистов, С. А. Грудинкин, А. А. Дукин, В. Г. Голубев, “Планарные светоизлучающие микрорезонаторы на основе гидрогенизированного аморфного карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1409–1415; Semiconductors, 48:10 (2014), 1374–1380
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7728 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i10/p1409
|
|