Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 10, страницы 1409–1415 (Mi phts7728)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Планарные светоизлучающие микрорезонаторы на основе гидрогенизированного аморфного карбида кремния

А. В. Медведевa, Н. А. Феоктистовab, С. А. Грудинкинab, А. А. Дукинa, В. Г. Голубевab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Методом плазмохимического газофазного осаждения изготовлены планарные микрорезонаторы Фабри–Перо с излучающим на границе видимого и инфракрасного диапазонов спектра активным слоем. Микрорезонаторы состоят из активного слоя $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H с повышенным содержанием углерода и распределенных брэгговских отражателей из чередующихся неизлучающих слоев $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H/$a$-SiO$_2$. Активный слой и распределенные брэгговские отражатели выращены в едином технологическом цикле. Благодаря высокому оптическому контрасту и малому поглощению слоев распределенных брэгговских отражателей достигнута большая добротность микрорезонаторов ($Q$ = 316) и высокая степень направленности излучения из микрорезонаторов при трех парах слоев в распределенных брэгговских отражателях. Интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре оказывается на 2 порядка выше по сравнению с интенсивностью излучения идентичного слоя $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H без распределенных брэгговских отражателей. Из сопоставления экспериментальных и рассчитанных методом матриц переноса с учетом дисперсии вещественной и мнимой частей показателя преломления $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H спектров пропускания сделана оценка степени систематического отклонения толщин слоев в распределенных брэгговских отражателях и определена верхняя граница коэффициента поглощения в слоях $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H.
Поступила в редакцию: 27.02.2014
Принята в печать: 11.03.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 10, Pages 1374–1380
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614100194
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Медведев, Н. А. Феоктистов, С. А. Грудинкин, А. А. Дукин, В. Г. Голубев, “Планарные светоизлучающие микрорезонаторы на основе гидрогенизированного аморфного карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1409–1415; Semiconductors, 48:10 (2014), 1374–1380
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MedFeoGru14}
\by А.~В.~Медведев, Н.~А.~Феоктистов, С.~А.~Грудинкин, А.~А.~Дукин, В.~Г.~Голубев
\paper Планарные светоизлучающие микрорезонаторы на основе гидрогенизированного аморфного карбида кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 10
\pages 1409--1415
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7728}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018974}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 10
\pages 1374--1380
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614100194}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7728
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i10/p1409
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025